收藏本站
Typical Characteristics
20
V GS = -4.5V
-3.5V
1.6
-3.0V
V GS = -2.5V
15
-2.5V
1.4
-3.0V
10
-2.0V
1.2
-3.5V
-4.0V
5
0
-1.5V
1
0.8
-4.5V
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.5
0.25
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.4
I D = - 4A
V GS = - 4.5V
I D = -2A
0.2
1.3
1.2
1.1
0.15
1
0.9
0.8
0.7
0.1
0.05
0
T A = 125 o C
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
10
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
8
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS = 0V
125 o C
6
4
2
0
1
0.1
0.01
0.001
T = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Si3443DV, REV A
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3445DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
SI3454ADV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
SI3455ADV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
SI3457BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
SI3457DV MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
SI3458BDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
SI3460BDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
SI3460DV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
相关代理商/技术参数
SI3443DV_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SI3443DV_Q 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV-NF073 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CH MOSFET TSOP-6 20V 65MOHM @ 4.5V - Rail/Tube
SI3443DVPBF 制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:HEXFET Power MOSFET
SI3443DV-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3443DVTR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI3443DV-TR 制造商:International Rectifier 功能描述: